近日，由中国电子学会主办的第十九届中国电子信息年会在武汉盛大召开。我校携手电子科技大学共同主办了本次大会的“射频和功率器件与集成电路”专题论坛，我校副校长、通信工程学院罗小蓉教授与电子科技大学杨涛教授共同担任专题论坛执行主席。

罗小蓉主持论坛

在罗小蓉教授主持下，论坛主席中国科学院院士郝跃教授、中国工程院院士苏东林教授、我校何建新校长先后致辞。会上来自北京大学、清华大学、复旦大学、电子科技大学等顶尖高校及微电子领域领军企业的近200位专家学者、企业代表紧密围绕射频、功率器件、宽禁带半导体材料等前沿议题展开了深入浅出的交流与探讨，为与会者呈现了一场精彩绝伦的学术盛宴。

参会人员合影

会上罗小蓉教授还为大家分享了题为“面向高效电力电子应用的GaN/Si混并联开关”的专题学术报告。报告针对GaN HEMT动态导通电阻退化和缺乏雪崩耐受能力两个难题，提出GaN HEMT与Si MOSFET的混并联开关拓扑，解决了传统纯GaN开关方案中动态电阻高和非钳位感性开关易失效的关键问题，实现了动态导通电阻降低20%以上、雪崩能量耐受能力提升两个数量级的性能突破。报告引发了在场同行专家的热烈反响，极大提升了我院在功率器件和射频领域的学术影响力。

罗小蓉教授分享报告

在圆桌论坛环节，罗小蓉教授与来自科研院所、高校以及知名企业的专家们，共同围绕“宽禁带·拓未来——宽禁带半导体射频与功率器件创新与发展”展开了热烈研讨，前瞻产业应用需求与技术突破路径。

圆桌论坛

在罗小蓉教授的带领下，我院10余名师生也积极赴现场参与了本次论坛活动。此次参会，不仅向全国同行展示了我院学者的学术风采，更为我院师生提供了一个与两院院士及行业顶尖专家面对面交流的宝贵平台。师生们认真汲取科研经验与创新智慧，这将为促进我院通信与电子信息类相关学科的交叉融合、科技创新与高水平人才培养注入强劲的新动力。